參數(shù)資料
型號(hào)： IRLZ34N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 114K
代理商： IRLZ34N
IRLZ34N
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLZ44N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A)
IRLZ44S Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)
IRLZ44ZLPBF AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)
IRLZ44ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)
IRLZ44ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLZ34N,127 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
IRLZ34N-002HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRLZ34N-010HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRLZ34NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRLZ34NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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