參數(shù)資料
型號： IRLZ34N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRLZ34N
IRLZ34N
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
o ss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 16A
V = 44V
V = 28V
1
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
T = 25°C
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
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參數(shù)描述
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