參數(shù)資料
型號(hào)： IRLWI640A
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 先進(jìn)的功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 227K
代理商： IRLWI640A
IRLW/I640A
6
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
5V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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