型號: | IRLWI640A |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | Advanced Power MOSFET |
中文描述: | 先進(jìn)的功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 5/7頁 |
文件大?。?/td> | 227K |
代理商: | IRLWI640A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IS604 | AC Input Phototransistor Optically Coupled Isolators(AC輸入,晶體管輸出的光耦合/隔離器) |
IS605 | Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓400V的光耦合/隔離器(由GaAs紅外發(fā)光二極管+光活性硅控整流器組成)) |
IS606 | Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓625V的光耦合/隔離器(由GaAs紅外發(fā)光二極管+光活性硅控整流器組成)) |
IS609 | Microprocessor Compatible Schmitt Trigger Optically Coupled Isolator(高隔離電壓的光耦合/隔離器(由砷化鎵紅外發(fā)光二極管+兼容微處理器的施密特觸發(fā)器組成)) |
IS610 | Photo Coupled Bilateral Analog FET(標(biāo)準(zhǔn)6腳,輸出擊穿電壓±30V的光隔離器(由紅外發(fā)光二極管+雙向?qū)ΨQ光檢測器組成)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRLZ10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-220AB |
IRLZ14 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRLZ14_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRLZ14-024 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,10A I(D),TO-220AB,FORMED LEADS 024 |
IRLZ14A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |