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參數(shù)資料
| 型號： | IRLW640 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | ADVANCED POWER MOSFET |
| 中文描述： | 先進(jìn)的功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 227K |
| 代理商： | IRLW640 |
IRLW/I640A
6
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
5V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLWI640A | Advanced Power MOSFET |
| IS604 | AC Input Phototransistor Optically Coupled Isolators(AC輸入，晶體管輸出的光耦合/隔離器) |
| IS605 | Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓400V的光耦合/隔離器（由GaAs紅外發(fā)光二極管+光活性硅控整流器組成）) |
| IS606 | Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓625V的光耦合/隔離器（由GaAs紅外發(fā)光二極管+光活性硅控整流器組成）) |
| IS609 | Microprocessor Compatible Schmitt Trigger Optically Coupled Isolator(高隔離電壓的光耦合/隔離器（由砷化鎵紅外發(fā)光二極管+兼容微處理器的施密特觸發(fā)器組成）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLW640A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRLW640ATM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLWI510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLWI520A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLWI530A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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