參數(shù)資料
型號(hào): IRLU8713PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 343K
代理商: IRLU8713PBF
www.irf.com
7
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 16a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 16b.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLU8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLRU120N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLU120N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLR120N HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
IRLU8721-701PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET,30V,65A,8.4 MOHM,8.5 NC QG,LOGIC LEVEL,I-PAK,LEADFORM - Rail/Tube
IRLU8721PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU8726PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU8729-701PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET,30V,58A,8.9 MOHM,10 NC QG,LOGIC LEVEL,I-PAK,LEADFORM - Rail/Tube
IRLU8729PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 58A 8.9mOhm 30V 10nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube