參數(shù)資料
型號： IRLU8713PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： IRLU8713PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
10
20
30
40
Qg, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
VDS= 21V
VDS= 13V
ID= 17A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLU8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLRU120N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLU120N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLR120N HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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