參數(shù)資料
型號： IRLU8113
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 200K
代理商： IRLU8113
www.irf.com
7
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
Fig 16.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR8503PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR8503 HEXFET MOSFET for DC-DC Converters
IRLR8713PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU8713PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRLU8113PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 94A 6mOhm 22nC Qg Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU8113PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRLU8203 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLU8203PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 6.8mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU8256PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 81A 5.7mOhm 25V 10nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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