參數(shù)資料
型號(hào)： IRLS510A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 4.5 A, 100 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 286K
代理商： IRLS510A
IRLS510A
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
175
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
@ Note : T
J
= 25
o
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.4
0.6
0.8
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
10
0
10
1
175
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
0
2
4
6
0
2
4
6
V
DS
= 80 V
V
DS
= 50 V
V
DS
= 20 V
@ Notes : I
D
= 5.6 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
0
10
1
0
70
140
210
280
350
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLS520A Advanced Power MOSFET
IRLW640 ADVANCED POWER MOSFET
IRLWI640A Advanced Power MOSFET
IS604 AC Input Phototransistor Optically Coupled Isolators(AC輸入，晶體管輸出的光耦合/隔離器)
IS605 Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓400V的光耦合/隔離器（由GaAs紅外發(fā)光二極管+光活性硅控整流器組成）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLS520A 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLS530 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRLS530A 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLS540A 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLS610A 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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