參數(shù)資料
型號(hào)： IRLS510A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 4.5 A, 100 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 286K
代理商： IRLS510A
IRLS510A
100
--
1.0
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
50
20
8
10
17
8
5.5
0.9
3.5
--
--
2.0
100
-100
10
100
0.44
--
235
65
25
25
30
45
25
8
--
--
3.2
180
--
--
--
85
0.23
5.6
20
1.5
--
--
Notes ;
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
L=4mH, I
=4.5A, V
=25V, R
G
=27
, Starting T
=25
o
C
I
SD
< 5.6A, di/dt < 250A/
μ
s, V
DD
< BV
DSS
, Starting T
J
=25
o
C
Pulse Test : Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle < 2%
Essentially Independent of Operating Temperature
O
5
O
1
O
O
O
2
3
4
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25 unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
BV/ T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(“Miller”) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V
nA
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250 A
I
D
=250 A
See Fig 7
V
DS
=V
GS
, I
D
=250
μ
A
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=100V
V
DS
=80V, T
C
=150
o
C
V
GS
=5V,I
D
=2.25A
V
DS
=40V,I
D
=2.25A
V
DD
=50V,I
D
=5.6A,
R
G
=12
See Fig 13
V
DS
=80V,V
GS
=5V,
I
D
=5.6A
See Fig 6 & Fig 12
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
C
μ
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25 C
S
=4.5A,V
GS
=0V
T
J
=25 ,I
F
=5.6A
di
F
/dt=100A/ s
C
V/
o
C
μ
O
1
O
4
O
4
C
O
4
O
4
O
5
O
4
O
4
O
5
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLS520A Advanced Power MOSFET
IRLW640 ADVANCED POWER MOSFET
IRLWI640A Advanced Power MOSFET
IS604 AC Input Phototransistor Optically Coupled Isolators(AC輸入，晶體管輸出的光耦合/隔離器)
IS605 Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓400V的光耦合/隔離器（由GaAs紅外發(fā)光二極管+光活性硅控整流器組成）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLS520A 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLS530 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRLS530A 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLS540A 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLS610A 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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