參數(shù)資料
型號： IRLR3705Z
廠商： International Rectifier
英文描述： Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET Power MOSFET
中文描述： 專為汽車應用中，這HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRLR3705Z
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.8V
VGS
12V
10V
8.0V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.8V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
2.8V
VGS
12V
10V
8.0V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.8V
TOP
BOTTOM
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.0
10.0
100.0
1000.0
ID
(
)
VDS = 15V
≤
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 175°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 8.0V
380μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU3705Z Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET Power MOSFET
IRLR3714PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mヘ , ID = 36A )
IRLU3714PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mヘ , ID = 36A )
IRLR3714Z HEXFET Power MOSFET
IRLR3714ZPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLR3705ZPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3705ZTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3705ZTRPBF-BL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRLR3705ZTRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 130 W 44 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK
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