參數(shù)資料
型號： IRLL110PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： IRLL110PBF
IRLL110PbF
8
www.irf.com
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IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
04/04
SOT-223 (TO-261AA) Tape & Reel Information
Dimensions are shown in milimeters (inches)
4.10 (.161)
3.90 (.154)
1.85 (.072)
1.65 (.065)
2.05 (.080)
1.95 (.077)
12.10 (.475)
11.90 (.469)
7.10 (.279)
6.90 (.272)
1.60 (.062)
1.50 (.059)
TYP.
7.55 (.297)
7.45 (.294)
7.60 (.299)
7.40 (.292)
2.30 (.090)
2.10 (.083)
16.30 (.641)
15.70 (.619)
0.35 (.013)
0.25 (.010)
FEED D IRECTION
TR
13.20 (.519)
12.80 (.504)
50.00 (1.969)
MIN .
330.00
(13.000)
MAX.
NOTES :
1. C ON TR OLLING DIMENSION : MILLIME TER .
2. OUTLIN E CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
3. EACH O330.00 (13.00) REEL CO NTAINS 2,500 D EVICES.
3
NOTES :
1. OUTLINE C OMFOR MS TO EIA-418-1.
2. CONTR OLLING DIMEN SION: MILLIM ETER..
3. DIMENSION MEASUR ED @ HU B.
4. IN CLU DES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
15.40 (.607)
11.90 (.469)
18.40 (.724)
MAX.
4
14.40 (.566)
12.40 (.488)
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLL110 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRLL2703PBF HEXFET Power MOSFET
IRLL2705PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.04ヘ , ID = 3.8A )
IRLL3303PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2402PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLL110PBFTR 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRLL110TR 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL110TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL1503TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLL1905 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB
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