參數(shù)資料
型號： IRLL110
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 217K
代理商： IRLL110
IRLL110
www.irf.com
7
Package Outline
SOT-223 (TO-261AA) Outline
SOT-223
Part Marking Information
DATE CODE (YW W )
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
W W = W EEK
BOTTOM
PART NUMBER
TOP
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRFL014
W AFER
LOT CODE
XXXXXX
314
FL014
相關PDF資料
PDF描述
IRLL2703PBF HEXFET Power MOSFET
IRLL2705PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.04ヘ , ID = 3.8A )
IRLL3303PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2402PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2502PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRLL110PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL110PBFTR 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRLL110TR 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL110TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL1503TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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