參數(shù)資料
型號(hào)： IRLL024NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 152K
代理商： IRLL024NPBF
IRLL024NPbF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.048 –––
–––
––– 0.065
–––
––– 0.080
–––
––– 0.100
1.0
–––
3.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10.4 15.6
–––
1.5
–––
5.5
–––
7.4
–––
21
–––
18
–––
25
–––
510
–––
140
–––
58
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 3.1A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 2.5A
V
GS
= 4.0V, I
D
= 1.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 1.9 A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 1.9A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6 and 9
V
DD
= 28V
I
D
= 1.9A
R
G
= 24
R
D
= 15
,
See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
2.0
–––
25
250
100
-100
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
2.3
8.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
ns
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
1.9A, di/dt
≤
270A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Starting T
J
= 25°C, L = 25 mH
R
G
= 25
, I
AS
= 3.1A. (See Figure 12)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 1.9A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.9A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
39
63
1.0
58
94
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
12
3.1
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLL024ZPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLL024Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRLL110PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLL110 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRLL2703PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLL024NQ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | SOT-223
IRLL024NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 4.4A, 65 mOhm, 10.4 nC Qg, Logic Level, SOT-223
IRLL024NTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL024Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLL024ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*