型號: | IRL624 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | SO |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五(巴西)直| 3.3AI(四)|蘇 |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 244K |
代理商: | IRL624 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRL631 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
IRL640S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252VAR |
IRL641 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB |
IRL6903 | |
IRL6903L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRL6283MTRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 20V, 211A, 0.5 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, DIRECTFET - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET 制造商:International Rectifier 功能描述:T&R / MOSFET, 20V, 211A, 0.5 mOhm, 2.5V drive capable, DirectFET |
IRL630 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRL630A | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRL630PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRL630S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |