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參數資料
| 型號： | IRL640S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 17A條（?。﹟對252VAR |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | IRL640S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL641 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB |
| IRL6903 | |
| IRL6903L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
| IRL6903S | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB |
| IRFPS30N60K | SMPS MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRL640SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL640STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL640STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL640STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL640STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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