參數(shù)資料
型號(hào)： IRL530NS
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET?? Power MOSFET
中文描述： 的HEXFET？？功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 233K
代理商： IRL530NS
IRL530A
100
--
1.0
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
140
60
10
11
29
15
16.9
2.7
9.7
--
--
2.0
100
-100
10
100
0.12
--
755
175
75
30
30
70
40
24
--
--
10.2
580
--
--
--
109
0.41
14
49
1.5
--
--
Notes ;
①
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
②
L=2mH, I
AS
=14A, V
DD
=25V, R
G
=27
, Starting T
J
=25
℃
③
I
SD
≤
14A, di/dt
≤
350A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
=25
℃
④
Pulse Test : Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
⑤
Essentially Independent of Operating Temperature
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25
℃
unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
Δ
BV/
Δ
T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(
＂
Miller
＂
) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
℃
V
nA
μ
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250
μ
A
I
D
=250
μ
A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250
μ
A
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=100V
V
DS
=80V,T
C
=150
℃
V
GS
=5V,I
D
=7A
④
V
DS
=40V,I
D
=7A
④
V
DD
=50V,I
D
=14A,
R
G
=6
See Fig 13
④ ⑤
V
DS
=80V,V
GS
=5V,
I
D
=14A
See Fig 6 & Fig 12
④ ⑤
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
①
Diode Forward Voltage
④
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
μ
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
℃
,I
S
=14A,V
GS
=0V
T
J
=25
℃
,I
F
=14A
di
F
/dt=100A/
μ
s
④
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL530A Advanced Power MOSFET
IRL540A Advanced Power MOSFET
IRL540 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL620A 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL620S 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRL530NSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL530NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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