參數(shù)資料
型號： IRL540A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 28 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 244K
代理商： IRL540A
IRL540A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.058
I
D
= 28 A
100
28
19.8
98
±
20
522
28
12.1
6.5
121
0.81
- 55 to +175
300
1.24
--
62.5
--
0.5
--
1
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 100V
Lower R
DS(ON)
: 0.046
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關PDF資料
PDF描述
IRL540 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRL620A 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRL620S 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRL620 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRL630S 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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