參數資料
型號: IRL3402S
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五(巴西)直| 85A條(?。﹟對263AA
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代理商: IRL3402S
10/31/97
IRL3402S
PRELIMINARY
HEXFET
Power MOSFET
PD - 9.1693
S
D
G
V
DSS
= 20V
R
DS(on)
= 0.01
I
D
= 85A
Description
These HEXFET Power MOSFETs were designed
specifically to meet the demands of CPU core DC-DC
converters. Advanced processing techniques
combined with an optimized gate oxide design results
in a die sized specifically to offer maximum efficiency
at minimum cost.
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.1
40
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
°C/W
Thermal Resistance
The D
2
Pak is a surface mount power package capable
of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D
2
Pak is suitable for high current applications because
of its low internal connection resistance and can
dissipate up to 2.0W in a typical surface mount
application.
D Pak
l
Advanced Process Technology
l
Surface Mount
l
Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive
l
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
l
Fast Switching
Parameter
Max.
85
54
340
110
0.91
± 10
14
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
(Start Up Transient, tp = 100μs)
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V
V
GS
V
GSM
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
290
51
11
5.0
mJ
A
mJ
V/ns
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
相關PDF資料
PDF描述
IRL3402S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
IRL3502S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRL3502S HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS場效應管,理想用于CPU 核心 DC-DC 轉換器)
IRL3705 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB
IRL3705NL (186.82 k)
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRL3402STRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRL3402STRR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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