參數(shù)資料
型號： IRKD195-12N
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 195 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 187K
代理商： IRKD195-12N
IRK.165, .166, .195, .196, .235, .236 Series
5
I27096 rev. B 10/99
www.irf.com
Fig. 4 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
0
50
100
150
200
250
300
0
40
80
120
160
200
240
280
DC
180
°
120
°
90
°
60
°
30
°
Average Forward C urrent (A)
RMS Limit
M
Conduction Period
IRK.166.. Series
T = 150
°
C
Per Junction
Fig. 7 - Forward Power Loss Characteristics
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0
25
50
75
100
125
150
175
Average Forward Current (A)
RMS Limit
M
Conduction Angle
180
°
120
°
90
°
60
°
30
°
IRK.166.. Series
T = 150
°
C
Per J unc tion
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
1
10
100
P
Number Of Equal Amplitude Half C yc le C urrent Pulses (N)
Initial T = 150
°
C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
At Any Ra ted Load C ondition And With
Ra ted V Applied Following Surge.
IRK.166.. Series
Per J unc tion
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (
°
C )
R =00 KW-DetaR
tSA
006K/W
016K/W
03K/W
01K/W
0.4K/W
0.7 K/W
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
50
100
150
200
250
Total RMS Output C urrent (A)
M
180
°
(Sine)
DC
IRK.166.. Series
Per J unc tion
T = 150
°
C
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0.01
0.1
1
P
Pulse Train Duration (s)
Ma ximum Non Repetitive Surge C urrent
Versus Pulse Train Duration.
Initial T = 150
°
C
No Voltage Reapplied
Rated V Rea pplied
IRK.166.. Series
Per J unction
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PDF描述
IRKD195-20N 195 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IRKJ196-20N 195 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IRKE235-12N 230 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IRKE235-16 230 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IRKE236-12N 230 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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