參數(shù)資料
型號(hào): IRKD195-12N
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 195 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁(yè)數(shù): 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商: IRKD195-12N
IRK.165, .166, .195, .196, .235, .236 Series
3
I27096 rev. B 10/99
www.irf.com
Sinusoidal conduction @ T
J
max.
120
o
90
o
Rectangular conduction @ T
J
max.
120
o
90
o
Devices
Units
180
o
60
o
30
o
180
o
60
o
30
o
IRK.165, .166
0.016
0.019
0.024
0.035
0.060
0.011
0.019
0.026
0.037
0.060
K/W
IRK.195, .196
0.016
0.019
0.024
0.035
0.060
0.011
0.019
0.026
0.037
0.060
IRK.235, .236
0.016
0.019
0.025
0.036
0.060
0.012
0.020
0.027
0.037
0.060
R Conduction (per Junction)
(The following table shows the increment of thermal resistance R
thJC
when devices operate at different conduction angles than DC)
IRK
D
23
6
-
24
N
1
2
3
1
-
Module type
2
-
Circuit configuration
3
-
Current rating: I
F(AV)
x 10 rounded
5 = option with spacers and longer terminal screws
4
-
5
6 = option with standard terminal screws
6
-
Voltage code: Code x 100 = V
RRM
(see Voltage Rating Table)
None = Standard devices
7
-
N
= Aluminum nitrade substrate
4
Device Code
Ordering Information Table
5
6
T
J
Max. junction operating
temperature range
-40 to 150
°
C
T
stg
R
thJC
Max. storage temperature range
-40 to 150
°
C
Max. thermal resistance,
junction to case
0.20
0.20
0.17
K/W
Per junction, DC operation
R
thCS
Max. thermal resistance,
case to heatsink
0.035
K/W
T
Mounting torque ±10%
IAP to heatsink
busbar to IAP
4 to 6
4 to 6
Nm
wt
Approximate weight
500 (17.8)
g (oz)
Parameter
IRK.165 / .195 / .235
IRK.166 / .196 / .236
Units Conditions
Thermal and Mechanical Specifications
A mounting compound is recommended
and the torque should be rechecked after a
period of 3 hours to allow for the spread of
the compound
Mounting surface flat, smooth and greased
Per module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRKD195-20N 195 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IRKJ196-20N 195 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IRKE235-12N 230 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IRKE235-16 230 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IRKE236-12N 230 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
IRKD196 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:NEW INT-A-pak Power Modules
IRKD196/04 功能描述:DIODE STD REC 400V 195A INTAPAK RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
IRKD196/04PBF 功能描述:整流器 400 Volt 195 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
IRKD196/08 功能描述:DIODE STD REC 800V 195A INTAPAK RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
IRKD196/08PBF 功能描述:整流器 800 Volt 195 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel