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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHNA93160 |
| 英文描述： | -100V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
| 中文描述： | - 100V的300kRad高可靠性單P溝道工貿(mào)硬化的貼片MOSFET的- 2封裝 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | IRHNA93160 |
10
www.irf.com
IRHE7230, JANSR2N7262U
Pre-Irradiation
Fig 27a. Switching Time Test Circuit
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
Fig 27b. Switching Time Waveforms
VDS
Pulse Width
≤ 1 s
Duty Factor
≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
+
-VDD
Fig 28. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 26. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
VGS
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJC
C
P
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal
Response
(Z
)
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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