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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHF58034 |
| 英文描述： | 60V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| 中文描述： | 60V的1000kRad高可靠性單N溝道MOSFET的工貿(mào)硬化在TO - 205AF包 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | IRHF58034 |
IRHF57Z30
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
1000
5
7
9
11
13
15
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
12A
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
12V
9.0V
7.0V
5.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHF58Z30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
| IRHF593110 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-205AF |
| IRHF593230 | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| IRHF597110 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-205AF |
| IRHF597230 | -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHF58034CM | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
| IRHF58130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHF58230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHF58Z30 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHF58Z30CM | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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