參數(shù)資料
型號(hào)： IRGSL8B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大?。?/td> 468K
代理商： IRGSL8B60K
IRGB/S/SL8B60K
www.irf.com
5
Fig. 11
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 360V; tp = 10μs
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 150°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
ICE = 16A
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
ICE = 16A
Fig. 8
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
ICE = 16A
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
20
40
60
80
100
IC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
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PDF描述
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