參數(shù)資料
型號： IRGPH50M
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 23A條）
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代理商： IRGPH50M
C-476
IRGPH50M
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
T
I , Collector-to-Emitter Current (A)
R = 5
T = 150°C
V = 960V
V = 15V
Refer to Section D for the following:
Appendix G: Section D - page D-9
Fig. 13a - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 13b - Pulsed Collector Current Test Circuit
Fig. 14a - Switching Loss Test Circuit
Fig. 14b - Switching Loss Waveform
Package Outline 3
- JEDEC Outline TO-247AC
Section D - page D-13
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGPH50S Aluminum Electrolytic Radial Leaded Low Leakage Current Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 4x7 mm; Packaging: Bulk
IRGPH50 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGPH50MD2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
IRGPH50S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)
IRGPH60UD2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGPS4067DPbF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 1.6V 120A Solar UPS Welding RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS40B120U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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