參數(shù)資料
型號(hào)： IRGPH50M
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 23A條）
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： IRGPH50M
C-473
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
IRGPH50M
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
100
L
f, Frequency (kHz)
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
Tsink
Gate drive as specified
Power Dissipation = 40W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
1
10
100
1000
1
10
C
I
150°C
25°C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
1
10
100
1000
5
10
15
20
C
I
150°C
25°C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
V = 100V
5μs PULSE WIDTH
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGPH50S Aluminum Electrolytic Radial Leaded Low Leakage Current Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 4x7 mm; Packaging: Bulk
IRGPH50 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
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參數(shù)描述
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IRGPH50S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)
IRGPH60UD2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGPS4067DPbF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 1.6V 120A Solar UPS Welding RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS40B120U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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