參數(shù)資料
型號： IRGP4062DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 964K
代理商： IRGP4062DPBF
IRGB/P4062DPbF
6
www.irf.com
Fig. 19
- Typ. Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V; I
F
= 24A; T
J
= 175°C
Fig. 20
- Typ. Diode Q
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V; T
J
= 175°C
Fig. 23
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 24
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 24A; L = 600μH
Fig. 21
- Typ. Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 175°C
Fig. 22
- V
GE
vs. Short Circuit Time
V
CC
= 400V; T
C
= 25°C
16
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
5
10
15
20
25
30
35
40
45
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
QR
10
22
100
47
12A
24A
6.0A
0
10
20
30
40
50
60
IF (A)
0
200
400
600
800
1000
E
RG = 10
RG = 22
RG = 47
RG = 100
8
10
12
14
16
18
VGE (V)
4
6
8
10
12
14
16
T
40
80
120
160
200
240
280
C
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
VG
VCES = 300V
VCES = 400V
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PDF描述
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