參數(shù)資料
型號： IRGB4B60KPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大?。?/td> 327K
代理商： IRGB4B60KPBF
IRGB4B60KPbF
IRGS/SL4B60K
6
www.irf.com
Fig. 13
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 12
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V,
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 4.0A; V
GE
= 15V
Fig. 14
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 4.0A; V
GE
= 15V
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IC (A)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
EOFF
EON
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200
300
400
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RG (
)
0
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250
300
350
E
EON
EOFF
0
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IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
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400
500
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
相關PDF資料
PDF描述
IRGB5B120KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB8B60KPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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