參數(shù)資料
型號： IRGB4B60KD1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 6/15頁
文件大小： 446K
代理商： IRGB4B60KD1PBF
IRGB4B60KD1PbF, IRGS/SL4B60KD1
6
www.irf.com
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V,
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 4.0A; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 4.0A; V
GE
= 15V
1
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10
IC (A)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
EOFF
EON
0
100
200
300
400
500
RG (
)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
EON
EOFF
0
2
4
6
8
10
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
100
200
300
400
500
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB5B120KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB8B60KPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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