參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB4056DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 772K
代理商： IRGB4056DPBF
IRGB4056DPbF
www.irf.com
5
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 175°C; L = 200μH; V
CE
= 400V, R
G
= 22
; V
GE
= 15V
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 175°C; L = 200μH; V
CE
= 400V, R
G
= 22
; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 175°C; L = 200μH; V
CE
= 400V, I
CE
= 12A; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 175°C; L = 200μH; V
CE
= 400V, I
CE
= 12A; V
GE
= 15V
Fig. 17
- Typ. Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 175°C
Fig. 18
- Typ. Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 175°C
0
10
20
30
IC (A)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
E
EOFF
EON
5
10
15
20
25
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
25
50
75
100
125
Rg (
)
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
E
EOFF
EON
0
25
50
75
100
125
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
10
20
30
IF (A)
0
5
10
15
20
25
IR
RG = 10
RG = 22
RG = 47
RG = 100
0
25
50
75
100
125
RG (
)
5
10
15
20
25
IR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4061DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4062DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4062DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB420UD2 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
IRGB420 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB4059DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4060DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4061DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4062DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4064DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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