參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB30B60KPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 333K
代理商： IRGB30B60KPBF
www.irf.com
7
IRGB30B60KPbF, IRGS/L30B60K
Fig 18.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
Fig. 16
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 17
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 30A; L = 600μH
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
25
50
75
100
125
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
200V
400V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.200 0.000428
0.209 0.013031
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
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PDF描述
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