參數(shù)資料
型號： IRGB15B60KDPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 3/15頁
文件大?。?/td> 832K
代理商： IRGB15B60KDPBF
IRGB/S/SL15B60KDPbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
IC
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.1
1
10
100
IC
10 μs
100 μs
1ms
DC
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
40
80
120
160
200
240
Pt
相關PDF資料
PDF描述
IRGB30B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB4056DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4061DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4062DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4062DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRGB30B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4045DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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