參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4RC10STR
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 8A條一（c）|至252AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： IRG4RC10STR
IRG4RC10S
6
www.irf.com
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
12
I , Collector Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
SAFE OPERATING AREA
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
480V
4
X
I
C
@
25°C
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
Fig. 13a
-
Clamped Inductive
Load Test Circuit
Fig. 13b
-
Pulsed Collector
Current Test Circuit
480μF
960V
0 - 480V
R
L
=
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
Fig. 14a
-
Switching Loss
Test Circuit
* Driver same type
as D.U.T., VC = 480V
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4RC10STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4ZC71KD
IRG4ZH70UD
IRG4ZH71KD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4RC10STRL 功能描述:IGBT STD 600V 14A LEFT D-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10STRR 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRRPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4RC10U 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4RC10UD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 8.5A D-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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