參數(shù)資料
型號： IRG4RC10STR
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 8A條一（c）|至252AA
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 150K
代理商： IRG4RC10STR
IRG4RC10S
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
16
I = A
8
I = A
4
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
4
8
12
16
M
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相關PDF資料
PDF描述
IRG4RC10STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4ZC71KD
IRG4ZH70UD
IRG4ZH71KD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4RC10STRL 功能描述:IGBT STD 600V 14A LEFT D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
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IRG4RC10U 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4RC10UD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 8.5A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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