參數(shù)資料
型號： IRG4PH40UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)DIDDE
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 679K
代理商： IRG4PH40UDPBF
IRG4PH40UDPbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
5
6
7
8
9
10
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
f, Frequency (KHz)
L
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
Tsink
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRG4PH50UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
IRG4PH50UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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