參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC30KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵BIPOALR晶體管超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 350K
代理商： IRG4PC30KDPBF
10
www.irf.com
Notes:
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction temperature
(figure 20)
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 23
(figure 19)
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%.
Pulse width 5.0μs, single shot.
)* )
EXAMPLE:
ASSEMBLED ON WW 35, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "H"
LOT CODE 5657
WITH ASSEMBLY
THIS IS AN IRFPE30
035H
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
IRFPE30
LOT CODE
ASSEMBLY
56 57
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 35
LINE H
"P" in assembly line
Note:
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
07/04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC30K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4PC30SPBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS158N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
IRG4PC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4PC30UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC30KDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4PC30KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30S 功能描述:IGBT STD 600V 34A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PC30SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR POWER DISSIPATION:100W
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