參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC30S
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d為1.4V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 18A條）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： IRG4PC30S
Parameter
Max.
600
34
18
68
68
± 20
10
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
IRG4PC30S
E
C
G
n-channel
TO-247AC
Features
Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry standard TO-247AC package
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
IGBTs optimized for specified application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
=
1.4V
@V
GE
= 15V, I
C
= 18A
Parameter
Typ.
–––
0.24
–––
6 (0.21)
Max.
1.2
–––
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°
C/W
g (oz)
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
4/15/2000
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC30UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC30U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC30 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4PC30F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC30SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR POWER DISSIPATION:100W
IRG4PC30U 功能描述:IGBT UFAST 600V 23A TO-247AC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PC30UD 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC30UD-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS
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