參數(shù)資料
型號: IRG4PC30FD
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復二極管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 1.59V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 17A條)
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 145K
代理商: IRG4PC30FD
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www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
10
20
30
40
T
I , Collector-to-Emitter Current (A)
A
R = 23
T = 150
°
C
V = 480V
V = 15V
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125
°
C
相關PDF資料
PDF描述
IRG4PC30KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4PC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC40FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PC30FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30K 功能描述:IGBT UFAST 600V 28A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PC30KD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 28A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件