參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC30FD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.59V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 17A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： IRG4PC30FD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150
°
C
J
T = 25
°
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
A
1
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
13
C
I
T = 25
°
C
T = 150
°
C
J
A
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
D uty cycle: 50%
T = 125
°
C
T = 90
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 24W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC30KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4PC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC40FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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