參數(shù)資料
型號： IRG4MC50U
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 35A條一（c）|至254AA
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： IRG4MC50U
www.irf.com
7
IRG4MC30F
720V
4
X
I
C
@
25
°
C
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
Fig. 13a
-
Clamped Inductive
Load Test Circuit
Fig. 13b
-
Pulsed Collector
Current Test Circuit
480μF
960V
0 - 720V
R
L
=
t=5μs
d(on)
t
t
f
t
r
90%
t
d(off)
10%
90%
10%
5%
V
C
I
C
E
on
E
off
E = (E +E )
Fig. 14b
-
Switching Loss
Waveforms
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
Fig. 14a
-
Switching Loss
Test Circuit
* Driver same type
as D.U.T., VC = 720V
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PDF描述
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