參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30W-SPBF
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 593K
代理商： IRG4BC30W-SPBF
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www.irf.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC40FPBF Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4BC40F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4BC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4BC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4BC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30W-STRL 功能描述:IGBT WARP 600V 23A LEFT D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30W-STRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 23AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30W-STRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC40F 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC40FD 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
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