參數(shù)資料
型號(hào): IRG4BC30UPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: UltraFast Speed IGBT
中文描述: 超快速IGBT的速度
文件頁(yè)數(shù): 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 595K
代理商: IRG4BC30UPBF
IRG4BC30UPbF
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
0
400
800
1200
1600
2000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
G
V
A
V = 400V
I = 12A
C
0.2
0.3
0.4
0.5
0
10
20
30
40
50
60
T
R , Gate Resistance (
)
A
V = 480V
V = 15V
T = 25°C
I = 12A
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
I = 6.0A
I = 12A
C
I = 24A
R = 23
V = 15V
V = 480V
G E
C C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC40WPBF ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40FPBF INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC40KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50FPBF Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30US 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4BC30U-S 功能描述:IGBT UFAST 600V 23A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30U-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30U-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET
IRG4BC30U-STRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 23AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: