參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30UPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： UltraFast Speed IGBT
中文描述： 超快速I(mǎi)GBT的速度
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 595K
代理商： IRG4BC30UPBF
Parameter
Max.
600
23
12
92
92
± 20
10
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
IRG4BC30UPbF
UltraFast Speed IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PD - 95169
E
C
G
n-channel
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
=
1.95V
@V
GE
= 15V, I
C
= 12A
04/22/04
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
2 (0.07)
Max.
1.2
–––
80
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
g (oz)
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
TO-220AB
Features
UltraFast: optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry standard TO-220AB package
Lead-Free
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
IGBTs optimized for specified application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Benefits
www.irf.com
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC40WPBF ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40FPBF INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC40KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50FPBF Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30US 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4BC30U-S 功能描述:IGBT UFAST 600V 23A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30U-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30U-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET
IRG4BC30U-STRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 23AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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