參數(shù)資料
型號： IRG4BC30S-STRL
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 18A條一（c）|至263AB
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 135K
代理商： IRG4BC30S-STRL
IRG4BAC50S
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 41A
CC
C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
82
I = A
41
I = A
20.5
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
8.5
9.0
9.5
10.0
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 41A
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC30S-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
IRG4BAC50S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標準速度絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4C30W-S
IRG4CC10KB
IRG4CC10SB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4BC30S-STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
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IRG4BC30UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC30UDHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 23A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
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