參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC20W
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（絕緣柵型雙極型晶體管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRG4BC20W
IRG4BC20W
1
10
100
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
SAFE OPERATING AREA
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
0
2
4
6
8
10
12
14
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRG4BC20W-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V WARP 60-150KHZ DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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