型號: | IRG4BC20UPBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS157N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
中文描述: | 超快速IGBT的速度 |
文件頁數(shù): | 5/9頁 |
文件大?。?/td> | 319K |
代理商: | IRG4BC20UPBF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4BC20U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) |
IRG4BC20W | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管) |
IRG4BC30FD-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
IRG4BC30FD-S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
IRG4BC30FD1PBF | Fast CoPack IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRG4BC20U-S | 功能描述:IGBT UFAST 600V 13A TO-220-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BC20W | 功能描述:IGBT WARP 600V 13A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BC20WPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4BC20WS | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) |
IRG4BC20W-S | 功能描述:IGBT WARP 600V 13A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |