參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC20UD-S
廠商： International Rectifier
英文描述： 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.85V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 6.5A）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 222K
代理商： IRG4BC20UD-S
IRG4BC20FD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
4.5
I = A
9
I = A
18
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
4
8
12
16
M
9.0 A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4BC20K-SPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC20KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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