參數(shù)資料
型號： IRG4BC20F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.66V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 9.0,9.0）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 161K
代理商： IRG4BC20F
Parameter
Max.
600
16
9.0
64
64
± 20
5.0
60
24
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
E
C
G
n-channel
Features
Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry standard TO-220AB package
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
IGBTs optimized for specified application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
=
1.66V
@V
GE
= 15V, I
C
= 9.0A
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
2.0 (0.07)
Max.
2.1
–––
80
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°
C/W
g (oz)
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
TO-220AB
4/17/2000
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4BC20K-SPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC20KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20MDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20FD 功能描述:IGBT FAST 600V 16A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC20FDPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRG4BC20FD-S 功能描述:IGBT FAST 600V 16A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FD-SPBF 功能描述:IGBT N-CH W/DIODE 600V 16A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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