參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC20MD-S
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.85V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 11A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 222K
代理商： IRG4BC20MD-S
IRG4BC20FD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
f, Frequency (KHz)
L
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
1
10
100
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20SD-S 16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
IRG4BC20UD-S 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
IRG4BC20F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4BC20K-SPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20MDS_07 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20MD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC20MD-STRL 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20MD-STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20S 功能描述:IGBT STD 600V 19A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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