參數(shù)資料
型號： IRG4BC20KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： IRG4BC20KDPBF
8
www.irf.com
Same type
D.U.T.
430μF
80%
!
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5μS
Vce ic dt
∫
90% Vge
+Vge
Eoff =
"#$%&'(%
∫
Vce ie dt
t1
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VOLTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIODE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
∫
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
WAVEFORMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
∫
tx
Qrr =
trr
id dt
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相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC20K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20MDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20SD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
IRG4BC20UD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20UDPBF UltraFast CoPack IGBT
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參數(shù)描述
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IRG4BC20KD-S 功能描述:IGBT UFAST 600V 16A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20KD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC20KD-SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 16A
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